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改造原有V6生产线,以满足AI时代对高性能存储设备的需求。 在V8量产后,三星西安工厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND,相关生产线位于X2工厂,计划在2026年内完成过渡并实现量产。 更长远的目标是超过400层的V10 NAND,三星已为此规划了清晰的路线图,预计在2026年推出。  
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